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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
65
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
65
读取速度,GB/s
8.9
15.8
写入速度,GB/s
5.9
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1932
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-006.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
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