RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
65
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
65
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1932
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link