RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2382
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link