RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2382
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link