RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
71
Около -154% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
12.2
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2382
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link