RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
71
Autour de -154% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
2382
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link