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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
81
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
81
读取速度,GB/s
8.9
14.4
写入速度,GB/s
5.9
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1824
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
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