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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
48
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
25
读取速度,GB/s
8.9
12.4
写入速度,GB/s
5.9
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1511
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
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Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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