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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
49
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
49
读取速度,GB/s
8.9
10.9
写入速度,GB/s
5.9
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2413
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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