RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
49
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
49
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2413
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link