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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
48
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
29
读取速度,GB/s
8.9
17.5
写入速度,GB/s
5.9
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3146
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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