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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
48
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
34
读取速度,GB/s
8.9
15.1
写入速度,GB/s
5.9
10.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2620
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
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