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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
52
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
52
读取速度,GB/s
8.9
10.4
写入速度,GB/s
5.9
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2384
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
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