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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
52
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
52
读取速度,GB/s
8.9
15.8
写入速度,GB/s
5.9
10.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2625
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
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King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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