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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB vs Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.9
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
38
41
读取速度,GB/s
12.6
12.9
写入速度,GB/s
8.8
9.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
1958
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB RAM的比较
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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