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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

总分
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

总分
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Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 47
    左右 -38% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.2 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.6 left arrow 5.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    9.3 left arrow 15.2
  • 写入速度，GB/s
    5.9 left arrow 13.6
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1413 left arrow 3294

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较

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Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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内存RAM
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
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内存RAM
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SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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