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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
9.3
19.8
写入速度,GB/s
5.9
16.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3889
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905701-003.A00G 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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