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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
9.3
17.0
写入速度,GB/s
5.9
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3011
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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