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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
27
读取速度,GB/s
16.1
18.1
写入速度,GB/s
10.1
14.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3446
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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