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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
9.3
17.0
写入速度,GB/s
5.9
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3117
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
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