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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kllisre D4 8G 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Kllisre D4 8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kllisre D4 8G 8GB
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更快的读取速度,GB/s
11.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
47
读取速度,GB/s
9.3
11.7
写入速度,GB/s
5.9
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2143
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kllisre D4 8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
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Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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