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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
9.3
15.8
写入速度,GB/s
5.9
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2711
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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