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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
9.3
10.4
写入速度,GB/s
5.9
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2297
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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