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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs AMD R748G2133U2S-UO 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.3
15.0
写入速度,GB/s
9.0
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2600
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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