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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
61
左右 33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
61
读取速度,GB/s
13.3
15.0
写入速度,GB/s
9.0
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2028
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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