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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.3
15.6
写入速度,GB/s
9.0
11.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2941
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
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