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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
41
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
19
读取速度,GB/s
13.3
20.4
写入速度,GB/s
9.0
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3855
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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