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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
41
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
39
读取速度,GB/s
13.3
14.6
写入速度,GB/s
9.0
10.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2513
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
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