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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston 9905599-029.A00G 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
13.3
16.2
写入速度,GB/s
9.0
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2494
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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