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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston 9905711-002.A00G 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
13.3
16.0
写入速度,GB/s
9.0
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2371
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
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