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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
99
左右 59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
99
读取速度,GB/s
13.3
14.4
写入速度,GB/s
9.0
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
1386
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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