RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
99
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
99
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2016
1386
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link