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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
43
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
43
读取速度,GB/s
13.3
11.1
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
1357
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C15/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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