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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 -3% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
40
读取速度,GB/s
13.3
12.3
写入速度,GB/s
9.0
8.9
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
1789
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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