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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
64
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
64
读取速度,GB/s
13.3
16.8
写入速度,GB/s
9.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2052
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
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