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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
13.3
16.2
写入速度,GB/s
9.0
11.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2907
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
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