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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
13.3
15.4
写入速度,GB/s
9.0
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2320
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
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