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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.3
17.6
写入速度,GB/s
8.9
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3476
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
InnoDisk Corporation 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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