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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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更快的读取速度,GB/s
16.8
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
40
读取速度,GB/s
12.3
16.8
写入速度,GB/s
8.9
14.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3015
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
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