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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
14.4
写入速度,GB/s
8.9
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2511
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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