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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
17.6
写入速度,GB/s
8.9
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3705
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
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