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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
68
左右 41% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
68
读取速度,GB/s
12.3
15.5
写入速度,GB/s
8.9
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1826
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
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