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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.3
17.2
写入速度,GB/s
8.9
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3116
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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