RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3116
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link