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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
11.6
写入速度,GB/s
8.9
10.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2332
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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