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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
40
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
20
读取速度,GB/s
12.3
18.2
写入速度,GB/s
8.9
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3359
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
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