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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
18.2
写入速度,GB/s
8.9
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3389
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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