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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.3
20.7
写入速度,GB/s
8.9
20.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
4247
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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