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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
40
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
30
读取速度,GB/s
12.3
17.2
写入速度,GB/s
8.9
17.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3773
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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