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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905598-009.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
12.3
13.5
写入速度,GB/s
8.9
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2638
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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