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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905701-029.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
41
读取速度,GB/s
12.3
14.7
写入速度,GB/s
8.9
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2186
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
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